INDIUM-PHOSPHIDE FELDEFFEKTTRANSISTOR MIT HETERO-MIS-GATE.,申请号DE19873781389-传众专利搜索

发明名称	INDIUM-PHOSPHIDE FELDEFFEKTTRANSISTOR MIT HETERO-MIS-GATE.
摘要
申请公布号	DE3781389(D1)	申请公布日期	1992.10.01
申请号	DE19873781389	申请日期	1987.12.09
申请人	NEC CORP., TOKIO/TOKYO, JP	发明人	KASAHARA, KENSUKE C/O NEC CORPORATION;ITOH, TOMOHIRO C/O NEC CORPORATION;OHATA, KEIICHI C/O NEC CORPORATION, MINATO-KU TOKYO, JP
分类号	H01L29/812;H01L21/338;H01L29/43;H01L29/778;H01L29/80;(IPC1-7):H01L29/78;H01L29/62;H01L29/64	主分类号	H01L29/812
代理机构		代理人
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