| 摘要 |
메모리 리프레시 제어 기법은, 외부 1X 리프레시 레이트에 기초하여 유연한 내부 리프레시 레이트들을 허용하고, 외부 1X 리프레시 레이트에 기초하여 강한 메모리 행들에 대한 리프레시 사이클을 스킵하는 것을 허용한다. 메모리 제어기는, 리프레시 어드레스 카운터로부터 리프레시 어드레스를 판독하고, 약한 어드레스 테이블로부터 약한 어드레스를 판독하고, 그리고 약한 어드레스와 결합된 다음번 비트 시퀀스에 적어도 부분적으로 기초하여 다음번 약한 어드레스 값을 생성함으로써 메모리 리프레시를 수행한다. 메모리 제어기는 리프레시 어드레스를 약한 어드레스 및 다음번 약한 어드레스 값과 비교한다. 그 비교에 기초하여, 메모리 제어기는 리프레시 사이클을 스킵하는 것, 리프레시 어드레스를 리프레시하는 것, 약한 어드레스를 리프레시하는 것, 및 리프레시 어드레스 및 약한 어드레스 양쪽 모두를 리프레시하는 것 사이를 선택한다. |
