不同隔离沟槽深度之记忆体制法及装置

摘要

本发明系关于一种不同隔离沟槽深度之记忆体制法及装置，利用分次蚀刻制程，于记忆体当中的记忆元区域(cellarea)及周边区域(peripheralarea)中，分别形成深度相异之隔离沟槽(trench)，使周边区域中的隔离沟槽较记忆元区域更为深入基板内，以令记忆体于高电压操作之下仍保有良好的电气隔离效果而克服漏电流问题。