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经营范围
发明名称
半导体制造装置
摘要
本发明提供一种采用雷射结晶技术时半导体制造装置,用于提高基底的处理效率和提高半导体膜的迁移率。多室系统的半导体制造装置包括用于形成半导体膜的膜形成设备以及雷射照射设备。雷射照射设备包括用于相对于照射物体控制雷射照射位置的第一机构、用于发射雷射的第二机构(雷射振荡器)、用于处理或聚焦雷射的第三机构(光学系统)、以及依照被第三机构处理的雷射束点而覆盖根据掩模结构(图形资讯)的资料确定的位置的方式用于控制第二机构的振荡和用于控制第一机构的第四机构。
申请公布号
TW200300585
申请公布日期
2003.06.01
申请号
TW091133985
申请日期
2002.11.21
申请人
半导体能源研究所股份有限公司
发明人
山崎舜平;大谷久;广木正明;田中幸一郎;志贺爱子
分类号
H01L21/324
主分类号
H01L21/324
代理机构
代理人
林志刚
主权项
地址
日本
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