半导体装置

摘要

本发明提供一种铜膜蚀刻方法及半导体之制造方法。该方法将铜膜氧化然后用酸或硷除去该氧化物，以较少的工程时间蚀刻处理即可得到较平滑之铜膜表面。在绝缘膜1上的配线沟埋入障壁金属2，将pH=8~10之氨水及过氧化氢水之混合液与由该障壁金属2包围之铜配线表面接触，在其表面形成含氨错合体之铜氧化膜5。然后用稀盐酸等氧化力弱的酸或氨水等硷将铜氧化膜5做选择性蚀刻。然后在其表面形成一障壁金属4。将以往不容易保持表面平滑之铜蚀刻变成可能。用安全且廉价的药液短时间内氧化及蚀刻形成安定的障壁金属。