发明名称 |
部分区(层)或全部玻化、SiO2成形体之制造方法及其用途 |
摘要 |
一种制造部分区(层)或全部玻化、SiO2成形体之方法,在该方法中,一无定形、多孔性SiO2预形体系藉助于辐射能之非接触式加热而加以烧结或玻化,且在此步骤过程中可免除SiO2成形体受到外来原子之污染,其特征为所用辐射能系一雷射束。 |
申请公布号 |
TW200300746 |
申请公布日期 |
2003.06.16 |
申请号 |
TW091134676 |
申请日期 |
2002.11.28 |
申请人 |
瓦克化学公司 |
发明人 |
符瑞芝 席维特飞格;霍尔格 斯齐勒;珍斯 居斯特尔;史文 颜格勒尔;尤尔根 汉瑞希 |
分类号 |
C03B20/00 |
主分类号 |
C03B20/00 |
代理机构 |
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代理人 |
甯育丰 |
主权项 |
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地址 |
德国 |