发明名称 部分区(层)或全部玻化、SiO2成形体之制造方法及其用途
摘要 一种制造部分区(层)或全部玻化、SiO2成形体之方法,在该方法中,一无定形、多孔性SiO2预形体系藉助于辐射能之非接触式加热而加以烧结或玻化,且在此步骤过程中可免除SiO2成形体受到外来原子之污染,其特征为所用辐射能系一雷射束。
申请公布号 TW200300746 申请公布日期 2003.06.16
申请号 TW091134676 申请日期 2002.11.28
申请人 瓦克化学公司 发明人 符瑞芝 席维特飞格;霍尔格 斯齐勒;珍斯 居斯特尔;史文 颜格勒尔;尤尔根 汉瑞希
分类号 C03B20/00 主分类号 C03B20/00
代理机构 代理人 甯育丰
主权项
地址 德国