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发明名称
半导体装置之制造方法
摘要
本发明说明了一种半导体装置的制造方法,系藉由使用本发明的反应气体当作活性物种将薄膜形成于半导体基板上,其中该薄膜系藉由将薄膜形成程序再分割成多个阶段而形成的,并在每一个阶段内改变各活性物种的气体压力或气体流动速率。
申请公布号
TW200300982
申请公布日期
2003.06.16
申请号
TW091134373
申请日期
2002.11.26
申请人
NEC电子股份有限公司
发明人
中村直树
分类号
H01L21/316
主分类号
H01L21/316
代理机构
代理人
何金涂;何秋远
主权项
地址
日本
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