发明名称 半导体装置之制造方法
摘要 本发明说明了一种半导体装置的制造方法,系藉由使用本发明的反应气体当作活性物种将薄膜形成于半导体基板上,其中该薄膜系藉由将薄膜形成程序再分割成多个阶段而形成的,并在每一个阶段内改变各活性物种的气体压力或气体流动速率。
申请公布号 TW200300982 申请公布日期 2003.06.16
申请号 TW091134373 申请日期 2002.11.26
申请人 NEC电子股份有限公司 发明人 中村直树
分类号 H01L21/316 主分类号 H01L21/316
代理机构 代理人 何金涂;何秋远
主权项
地址 日本