| 摘要 |
Beschrieben ist eine Verstärkerschaltung umfassend mindestens einen Endstufentransistor (12), eine Schaltung zur Kompensation von Ruhestromdrifts und ggf. Bauelemente zur Ansteuerung des/der Endstufentransistor-s/-en, welche dadurch gekennzeichnet ist, dass die Schaltung zur Kompensation von Ruhestromsdrifts mindestens einen Referenzstromfeldeffekttransistor (23) mit einer Gateelektrode (22) aufweist, wobei mindestens eine Gateelektrode (22) im Bereich der Elektroden des/der Endstufentransistor-s/-en (5) angeordnet ist und sich der/die Referenzstromfeldeffekttransistor/-en auf einer gemeinsamen Chipfläche (6, 8) mit dem/den Endstufentransistor/-en (12) befindet. Ferner ist die Verwendung der vorstehenden Verstärkerschaltung in Mobilfunkanlagen beschrieben.
|
