| 发明名称 | 可降低启始电压偏移的薄膜晶体管结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种可降低启始电压偏移的薄膜晶体管结构及其制造方法。晶体管结构至少包含：一基板；一薄膜晶体管元件，形成于该基板上；以及保护层，形成于该薄膜晶体管元件上，其中该保护层是以富硅的氧化硅材料所形成。本发明通过提高形成氧化硅层时所使用的含硅气体量，同时降低形成氧化硅层时所使用的含氧气体量来增加氧化硅层内的悬浮键数，以降低保护层制程中，等离子体离子进入硅基板与栅极氧化层间界面的机会，而增加启始电压的均匀度。 | ||
| 申请公布号 | CN100466291C | 申请公布日期 | 2009.03.04 |
| 申请号 | CN200510055077.X | 申请日期 | 2005.03.15 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 黄坤铭;徐振富 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L21/316(2006.01) | 主分类号 | H01L29/786(2006.01) |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 王玉双;王艳江 |
| 主权项 | 1、一种薄膜晶体管结构，该结构可降低启始电压偏移，其特征在于，至少包含：一基板；一薄膜晶体管元件，形成于该基板上；一第一保护层，形成于该薄膜晶体管元件上，其中该保护层是以富硅的氧化硅材料所形成；以及一第二保护层，形成于该第一保护层上，其中该第二保护层是以氮化硅材料所形成。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹市科学工业园区新竹市力行六路八号 | ||