发明名称 |
Ⅲ族-氮化物器件的钝化及其方法 |
摘要 |
III族-氮化物半导体器件的一种实施方案以及其制造方法,可以包括低电阻钝化层,所述钝化层使得能够形成器件接触,而不会在高温处理过程中损坏III族-氮化物材料。该钝化层也可以设置在接触与器件的有源层之间,从而为电流传导提供低电阻路径。该钝化过程可用于多种器件,包括FET、整流器、肖特基二极管等,以提交击穿电压和防止在接触结附近出现电场聚集效应。该钝化层可以通过低温退火激活,从而不会在外扩散方面对III族-氮化物器件产生影响。 |
申请公布号 |
CN1890814A |
申请公布日期 |
2007.01.03 |
申请号 |
CN200480036192.6 |
申请日期 |
2004.12.06 |
申请人 |
国际整流器公司 |
发明人 |
罗伯特·彼迟 |
分类号 |
H01L29/739(2006.01);H01L31/0328(2006.01) |
主分类号 |
H01L29/739(2006.01) |
代理机构 |
北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 |
代理人 |
余朦;方挺 |
主权项 |
1.一种III族-氮化物半导体器件,包括:导电沟道,形成在具有不同晶格常数的两个III族-氮化物材料之间的界面处;电极,与所述沟道耦接以传送沟道电流;以及钝化层,位于所述电极和所述沟道之间并具有中断区域,其中所述器件内的电流流过所述钝化层的所述中断区域。 |
地址 |
美国加利福尼亚州 |