| 发明名称 |
DEVICE FOR LIQUID-PHASE EPITAXIAL GROWTH OF SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPH05345700(A) |
申请公布日期 |
1993.12.27 |
| 申请号 |
JP19920153667 |
申请日期 |
1992.06.12 |
| 申请人 |
SANYO ELECTRIC CO LTD |
发明人 |
MATSUSHITA YASUHIKO;KAMIYA TAKAHIRO |
| 分类号 |
C30B19/06;C30B29/36;H01L21/208;(IPC1-7):C30B29/36 |
主分类号 |
C30B19/06 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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