发明名称 |
监测功率输出级的方法 |
摘要 |
监测功率输出级的方法,该功率输出级具有至少一个半桥,其由串联连接的上和下半导体开关形成,该半导体开关通过脉宽调制脉冲交替控制到导通状态和关断状态,本发明还提供了在上半导体开关导通和下半导体开关导通时的每种情况下测量下半导体开关两端的各个电压,在工作电压和上半导体开关导通时测得的下半导体开关两端电压之间形成了电压差,其中将该电压差和下半导体开关导通时测得的该下半导体开关两端电压与预定电压相比较,这个预定电压是半导体开关导通时其两端的最大允许电压,当该电压差和该下半导体开关的两端电压都高于该预定电压时,该功率输出级或其输出电路识别为故障。 |
申请公布号 |
CN100465655C |
申请公布日期 |
2009.03.04 |
申请号 |
CN200410055288.9 |
申请日期 |
2004.05.14 |
申请人 |
西门子公司 |
发明人 |
M·亨宁格尔 |
分类号 |
G01R31/28(2006.01);G01R19/165(2006.01) |
主分类号 |
G01R31/28(2006.01) |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 |
代理人 |
龚海军;张志醒 |
主权项 |
1.一种监测功率输出级的方法,该功率输出级具有至少一个半桥,该半桥由串联连接的上和下半导体开关形成并给该半桥施加了工作电压,所述上和下半导体开关通过脉宽调制脉冲被交替地控制为导通状态和关断状态,该至少一个半桥中的上和下半导体开关之间的连接点构成了输出端,该方法包括步骤:在上半导体开关导通时测量下半导体开关两端的第一测量电压,在下半导体开关导通时测量下半导体开关两端的第二测量电压;将所述工作电压和第一测量电压之间的差值与预定电压相比较,并将第二测量电压与该预定电压相比较,这个预定电压是半导体开关导通时其两端的最大允许电压;当至少一个差值和第二测量电压都高于该预定电压时,将该功率输出级和所述至少一个半桥的输出端中的一个识别为有故障。 |
地址 |
德国慕尼黑 |