发明名称 半导体晶圆之分割方法
摘要 本发明的课题,在拟分割半导体晶圆时,以经济性方法形成没有缺口或界道的高品质晶片。欲每一个电路的半导体晶片地分割电路形成在藉由界道所区划的多数领域的半导体晶圆W的方法,以胶带构件10被覆半导体晶圆W的电路面,藉切割除去被覆界道S上部的胶带构件10而形成切削沟11,在被覆界道上部的胶带构件10被除去的半导体晶圆W施以化学性蚀刻处理,俾浸蚀界道而分割成各个半导体晶片。
申请公布号 TW200303601 申请公布日期 2003.09.01
申请号 TW092103690 申请日期 2003.02.21
申请人 迪思科股份有限公司 发明人 关家一马
分类号 H01L21/78 主分类号 H01L21/78
代理机构 代理人 林志刚
主权项
地址 日本