发明名称 | 一种二阶非线性光学晶体材料及其合成方法和用途 | ||
摘要 | 本发明公开了一种二阶非线性光学晶体材料,其分子式为KLiBeF<SUB>4</SUB>,晶体空间群为P63。本发明还提供了上述二阶非线性光学晶体材料的制备方法,将氢氧化锂、氢氧化钾、氟化铍和氟氢酸铵置入反应器中,加入蒸馏水,搅拌下加入氢氟酸,调节pH值至5-7;密封,加热到140~160摄氏度,并保持恒温20小时以上;降至室温,过滤,得到无色透明的晶体;所得晶体用蒸馏水洗涤,真空干燥,得到二阶非线性光学晶体。本发明二阶非线性光学晶体材料在深紫外、可见光区和红外光区有很大的透光窗口,有较大的二阶非线性光学系数,具有优良的热稳定性;合成方法具有操作简单,可以直接获得单晶等优点。 | ||
申请公布号 | CN1888147A | 申请公布日期 | 2007.01.03 |
申请号 | CN200610019266.6 | 申请日期 | 2006.06.05 |
申请人 | 武汉大学 | 发明人 | 苏旭;秦金贵;张刚;蒋世超;刘涛;陈创天;吴以成 |
分类号 | C30B29/12(2006.01) | 主分类号 | C30B29/12(2006.01) |
代理机构 | 武汉天力专利事务所 | 代理人 | 程祥;冯卫平 |
主权项 | 1.一种二阶非线性光学晶体材料,其分子式为KLiBeF4,晶体空间群为P63。 | ||
地址 | 430072湖北省武汉市武昌珞珈山 |