发明名称 |
PROXIMITY EFFECT CORRECTION IN A CHARGED PARTICLE LITHOGRAPHY SYSTEM |
摘要 |
본 발명은 하나 이상의 하전 입자 빔을 사용하여 대상물 상에 패터닝될 디지털 레이아웃 패턴을 수신하는 단계; 알파 근접 함수와 베타 근접 함수의 합을 포함하는 기저 근접 함수를 선택하는 단계 - 상기 알파 근접 함수는 단거리 근접 효과를 모델링하고 상기 베타 근접 함수는 장거리 근접 효과를 모델링하며, 상수 η는 상기 합에서의 베타 근접 함수와 알파 근접 함수 사이의 비로서 정의되고 0 < η <1임 -; 상기 기저 근접 효과 함수에 대응하는 수정된 근접 함수를 결정하는 단계 - 알파 근접 함수가 Dirac 델타 함수(Dirac delta function)에 의해 대체되어 있음 -; 및 전자 프로세서를 사용하여, 보정된 레이아웃 패턴을 생성하기 위해 수정된 근접 함수를 사용한 디지털 레이아웃 패턴의 디컨벌루션(deconvolution)을 수행하는 단계를 포함하는 하전 입자 빔 근접 효과 보정을 수행하는 방법에 관한 것이다. |
申请公布号 |
KR20160125442(A) |
申请公布日期 |
2016.10.31 |
申请号 |
KR20167025931 |
申请日期 |
2015.02.19 |
申请人 |
MAPPER LITHOGRAPHY IP B.V. |
发明人 |
WIELAND MARCO JAN JACO |
分类号 |
H01J37/317;H01J37/04;H01J37/30;H01J37/302 |
主分类号 |
H01J37/317 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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