| 主权项 |
1.一种电浆处理系统,该电浆处理系统包含:一大致圆筒形之电浆处理室,用以处理基体,该大致圆筒形之电浆处理室包含一顶区域及一周边区域;一气体流系统,连接至电浆处理室,该气体流系统控制输入于电浆处理室之至少二不同区域中之气体之流量;该输入气体系成为一源气体,可适用于蚀刻在该电浆处理室中的该基体;其中该至少二不同区域包括该电浆处理室之至少一周边区域及至少一顶区域;且其中该电浆处理室的该周边区域并不包括该电浆处理室的顶区域之任何点。2.如申请专利范围第1项所述之电浆处理系统,其中,该至少二不同区域包含一顶中央区域及一上周边区域。3.如申请专利范围第1项所述之电浆处理系统,其中,该至少二不同区域包含一顶中央区域及一下周边区域。4.如申请专利范围第1项所述之电浆处理系统,其中,该至少二不同区域包含一顶中央区域,一下周边区域,及一上周边区域。5.如申请专利范围第1项所述之电浆处理系统,其中,该至少二不同区域包含基体附近之一下区域。6.如申请专利范围第1项所述之电浆处理系统,其中,该电浆处理系统包含一卡盘,及该至少二不同区域包含基体附近之一下区域,及其中,输入气体通过卡盘释放。7.如申请专利范围第1项所述之电浆处理系统,其中,该气体流系统控制输入于电浆处理室之至少二不同区域中之气体之量或体积。8.如申请专利范围第1项所述之电浆处理系统,其中,该气体流系统控制输入于电浆处理室之至少二不同区域中之气体之流率。9.如申请专利范围第1项所述之电浆处理系统,其中,输入气体包含至少第一及第二气体,及其中,气体流系统独立控制进入电浆处理室之至少二不同区域中之至少第一及第二气体之相对流率。10.如申请专利范围第1项所述之电浆处理系统,其中,电浆处理系统另包含一气体移送环,此连接至电浆处理室,及其中,气体流系统控制输入至气体移送环中之气体之量或体积,从而供应输入气体至电浆处理室之一周边区域中。11.如申请专利范围第10项所述之电浆处理系统,其中,气体移送环设置于电浆处理室之上部,由此,气体移送环供应输入气体至电浆处理室之一上周边区域中。12.如申请专利范围第1项所述之电浆处理系统,其中,电浆处理室包含至少一内壁,及气体流系统包含:至少一气体入口,用以接收欲移送至电浆处理室中之输入气体;至少第一及第二气体出口,各能移送输入气体至电浆处理系统;及其中,输入气体之至少一部份经第一及第二气体出口移送至电浆处理室。13.如申请专利范围第12项所述之电浆处理系统,其中,输入气体之至少一部份释放于一第二区域中,第一区域为电浆处理室内之一顶中央区域,及释放于第一区域中之输入气体由第一气体出口移送。14.如申请专利范围第12项所述之电浆处理系统,其中,输入气体之至少一部份释放于一第二区域中,第一区域为围绕电浆处理室之内壁之一上周边区域,及释放于第二区域中之输入气体由第二气体出口移送。15.如申请专利范围第12项所述之电浆处理系统,其中,输入气体之至少一部份释放于一第二区域中,第二区域为围绕电浆处理室之内壁之一下周边区域,及释放于第二区域中之输入气体由第二气体出口移送。16.如申请专利范围第12项所述之电浆处理系统,其中,气体流系统接收一气体流控制信号,用以决定由每一第一及第二气体出口移送至电浆处理室中之输入气体之量或体积。17.如申请专利范围第16项所述之电浆处理系统,其中,气体流控制信号决定由第一及第二气体出口各移送至电浆处理室中之气体之流率。18.如申请专利范围第16项所述之电浆处理系统,其中,输入气体包含至少第一及第二气体,及其中,气体流控制信号独立决定进入电浆处理室之至少二不同区域中之至少第一及第二气体之相对流率。19.一种用以处理基体之电浆处理系统,包含:一大致圆筒形之电浆处理室,其内点燃及维持处理用之电浆,电浆处理室无分开之电浆产生室,电浆处理室具有一上端及一下端;一交连窗,置于电浆处理室之上端;一RF天线安排,置于由基体界定之一平面上方,当该基体置于处理用之电浆处理室内时;一电磁铁安排,置于由基体界定之该平面上方,电磁铁安排经构造,俾当至少一直流电流供应至电磁铁安排中时,导致电浆处理室内在接近RF天线之区域中之静磁场布局产生径向变化,该径向变化有效影响基体上之处理均匀性;一dc电源,连接至电磁铁安排,该dc电源具有控制器用以改变至少一直流电流之幅度,从而改变电浆处理室内在接近该天线之区域中之磁场布局之径向变化,以提高基体上之处理均匀性;及一气体流系统,连接至电浆处理室,气体流系统控制输入至电浆处理室之至少二不同区域中之气体之流量,该输入气体系成为一源气体,可适用于蚀刻在该电浆处理室中的该基体;其中该至少二不同域包括该电浆处理室之至少一周边区域及至少一顶区域;且其中该电浆处理室的该周边区域并不包括该电浆处理室的顶区域之任何点。20.如申请专利范围第19项所述之电浆处理系统,其中,该至少二不同区域包含一顶中央区域及一上周边区域。21.如申请专利范围第19项所述之电浆处理系统,其中,该至少二不同区域包含一顶中央区域及一下周边区域。22.如申请专利范围第19项所述之电浆处理系统,其中,该至少二不同区域包含一顶中央区域,一下周边区域,及一上周边区域。23.如申请专利范围第19项所述之电浆处理系统,其中,该气体流系统控制输入于电浆处理室之至少二不同区域中之气体之量或体积。24.如申请专利范围第19项所述之电浆处理系统,其中,该气体流系统控制输入于电浆处理室之至少二不同区域中之气体之流率。25.如申请专利范围第19项所述之电浆处理系统,其中,输入气体包含至少第一及第二气体,及其中,气体流系统独立控制进入电浆处理室之至少二不同区域中之至少第一及第二气体之相对流率。26.如申请专利范围第19项所述之电浆处理系统,其中,电浆处理系统另包含一气体移送环,此连接至电浆处理室,及其中,气体流系统控制输入至气体移送环中之气体之量或体积,从而供应输入气体至电浆处理室之一周边区域中。27.如申请专利范围第26项所述之电浆处理系统,其中,气体移送环设置于电浆处理室之上部,由此,气体移送环供应输入气体至电浆处理室之一上周边区域。28.如申请专利范围第19项所述之电浆处理系统,其中,电浆处理室包含至少一内壁,及气体流系统包含:至少一气体入口,用以接收欲流至电浆处理室中之输入气体;至少第一及第二气体出口,各能移送输入气体至电浆处理系统;及其中,输入气体之至少一部份经第一及第二气体出口移送至电浆处理室。29.如申请专利范围第28项所述之电浆处理系统,其中,输入气体之至少一部份释放于一第二区域中,第一区域为电浆处理室之一顶中央区域,及释放于第一区域中之输入气体由第一气体出口移送。30.如申请专利范围第28项所述之电浆处理系统,其中,输入气体之至少一部份释放于一第二区域中,第一区域为围绕电浆处理室之内壁之一上周边区域,及释放于第二区域中之输入气体由第二气体出口移送。31.如申请专利范围第28项所述之电浆处理系统,其中,输入气体之至少一部份释放于一第二区域中,第二区域为围绕电浆处理室之内壁之一下周边区域,及释放于第二区域中之输入气体由第二气体出口移送。32.如申请专利范围第28项所述之电浆处理系统,其中,气体流系统接收一气体流控制信号,用以决定由每一第一及第二气体出口移送至电浆处理室中之输入气体之量或体积。33.如申请专利范围第32项所述之电浆处理系统,其中,气体流控制信号决定由第一及第二气体出口各移送至电浆处理室中之气体之流率。34.如申请专利范围第32项所述之电浆处理系统,其中,输入气体包含至少第一及第二气体,及其中,气体流控制信号独立决定进入电浆处理室之至少二不同区域中之至少第一及第二气体之相对流率。35.如申请专利范围第19项所述之电浆处理系统,其中,至少二不同区域包含基体附近之一下区域。36.如申请专利范围第19项所述之电浆处理系统,其中,电浆处理系统包含一卡盘,及至少二不同区域包含基体边缘附近之一下区域,及其中,输入气体经由卡盘释放。37.一种用以处理基体之电浆处理系统,包含:一大致圆筒形之电浆处理室,其内点燃及维持处理用之电浆,电浆处理室无分开之电浆产生室,电浆处理室具有一上端及一下端;一交连窗,置于电浆处理室之上端;一RF天线安排,置于由基体界定之一平面上方,当该基体置于处理用之电浆处理室内时;一电磁铁安排,置于由基体界定之该平面上方,电磁铁安排经构造,俾当至少一直流电流供应至电磁铁安排中时,导致电浆处理室内在接近RF天线之区域中之静磁场布局产生径向变化,该径向变化有效影响基体上之处理均匀性;一dc电源,连接至电磁铁安排,该dc电源具有控制器用以改变至少一直流电流之幅度,从而改变电浆处理室内在接近该天线之区域中之磁场布局之径向变化,以提高基体上之处理均匀性;及一气体流系统,连接至电浆处理室,其中,气体流系统控制输入气体释放于电浆处理室内之第一及第二区域中,第一区域为电浆处理室内之顶中央区域,及第二区域为电浆处理室之一周边区域;且其中该第一与第二区域并不具有任何共同点。图式简单说明:图1显示适于蚀刻基体之一电浆处理系统。图2显示含有本发明之一实施例之气体流系统之一电浆处理系统。图3显示含有本发明之另一实施例之气体流系统之一电浆处理系统。图4显示含有本发明之又另一实施例之气体流系统之一电浆处理系统。图5显示含有磁铁安排连同本发明之一特定实施例之气体流系统之一电浆处理系统。 |
