发明名称 导电性构件、处理盒和电子照相设备
摘要 本发明提出在抑制导电性辊在H/H环境下过度的低电阻化的同时,降低其在L/L环境下的电阻值的问题。一种电子照相用导电性构件,其具有导电性芯轴和设置在芯轴的外周的导电层,电子照相用导电性构件的特征在于,导电层包含其分子内具有氧化烯结构和作为离子交换基团的磺基或季铵基团的粘结剂树脂以及具有与离子交换基团极性相反的极性的离子,导电层在30℃的温度和80%的相对湿度的环境下的含水率为10质量%以下,并且导电层在15℃的温度和10%的相对湿度的环境下通过使用氢核作为测量核的脉冲NMR测量求得其自旋-自旋松弛时间为200μsec以上。
申请公布号 CN104024954B 申请公布日期 2016.07.13
申请号 CN201280064406.5 申请日期 2012.12.21
申请人 佳能株式会社 发明人 山内一浩;西冈悟;渡边政浩;菊池裕一;山田聪;村中则文
分类号 G03G15/02(2006.01)I;G03G15/00(2006.01)I;G03G15/08(2006.01)I;G03G15/16(2006.01)I 主分类号 G03G15/02(2006.01)I
代理机构 北京魏启学律师事务所 11398 代理人 魏启学
主权项 一种电子照相用导电性构件,其包括:导电性芯轴;和设置在所述导电性芯轴外周的导电层,其特征在于,所述导电层包含分子中具有氧化烯结构和作为离子交换基团的磺基或季铵基团的粘结剂树脂,以及具有与所述离子交换基团的极性相反的极性的离子,所述导电层在30℃的温度和80%的相对湿度的环境下的含水率为10质量%以下,和在10%的相对湿度的环境下通过脉冲NMR测量求得的所述导电层的自旋‑自旋松弛时间T2为200μsec以上,其中所述自旋‑自旋松弛时间T2通过以下来测量:切下0.5g在15℃的温度和10%的相对湿度的环境下放置48小时的导电性辊的导电层并且密封在测量池内,其后,使用所述测量池进行测量;对于所述测量,通过脉冲NMR测量在氢核为测量核的情况下由通过使用固体回波法可获得的回波强度求得所述松弛时间T2的值;所述测量的条件如下:测量频率:20MHz;90°脉冲宽度:2.0μsec;脉冲间隔:12μsec;温度:15℃;和累积数:128。
地址 日本东京都大田区下丸子3丁目30番2号