利用少数载子控制物质之半导体装置

摘要

本发明揭露一种具有晶体结构之精密低功率晶体半导体装置。例如，该半导体装置具有N型导电性之半导体基板。例如，该装置还具有也是N型导电性之第一半导体材料掺杂区。此外，该装置还具有，例如，P型导电性之第二半导体材料掺杂区。根据本发明，该第二区与该第一区形成P／N接面。再者，在半导体装置之晶体结构中提供减少杂讯之少数载子控制物质，而该物质会在低于临限电流之反向电流下，主导低杂讯崩溃电压之操作参数。