| 摘要 |
Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauteils mit einem Halbleitersubstrat (1) und einer darauf anzubringenden Metallelektrode (4; 6, 7, 8), sowie mit einem gegenüber Metallablagerungen empfindlichen Bereich wobei man auf jeder der Hauptflächen des Halbleitersubstrats (1) eine Metallelektrode (4; 6, 7, 8) anbringt und an einer der Hauptflächen des Halbleitersubstrats wenigstens eine Anreisslinie bildet und mit einer Isolierschicht (11) abdeckt, dadurch gekennzeichnet, dass man auch eine Seitenfläche des Halbleitersubstrats (1) mit der Isolatorschicht (11) abdeckt und anschließend nur die Metallelektrode (4) auf dieser einen Hauptfläche mit einem Metall einer anderen Art als dem der Metallelektrode durch stromloses Plattieren überdeckt. |
