半导体结构的形成方法

摘要

一种半导体结构的形成方法，包括提供具阵列区及周边区之基底，阵列区包括多个第一闸极堆叠，周边区包括低电压元件第二闸极堆叠及高电压元件第三闸极堆叠，形成第一介电层于基底上，沉积第二介电层于第一介电层，移除部份第二介电层而仅留第三闸极堆叠上之第二介电层，再次沉积第二介电层于基底上，回蚀刻第二介电层以露出第一介电层，移除阵列区之第二介电层以露出第一介电层，以及回蚀刻第一介电层以露出各闸极堆叠上表面，而于各闸极堆叠侧壁分别形成第一间隙壁、第二间隙壁、及第三间隙壁，第三间隙壁厚度最大而第一间隙壁厚度最小。