| 主权项 |
1.一种主动式有机电激发光显示器的制作方法,其包含有下列步骤:提供一透明绝缘基底;于该透明绝缘基底上形成一第一金属层,并利用第一道微影蚀刻制程将该第一金属层定义形成一沿X方向延伸之第一扫描线、一电容器之下电极以及一沿X方向延伸之第二扫描线的图形;依序于该透明绝缘基底之整个表面上形成一闸极绝缘层、一非晶矽层以及一掺杂非晶矽层;利用第二道微影蚀刻制程,将该第一、第二扫描线之预定非晶矽TFT元件区域内之该非晶矽层以及该掺杂非晶矽层定义形成一第一、第二岛状结构,并将该第二扫描线之预定非晶矽TFT元件区域以外之该非晶矽层以及该掺杂非晶矽层去除;利用第三道微影蚀刻制程,将该第二扫描线之预定非晶矽TFT元件区域以外之部分闸极绝缘层去除,以形成一道孔;于该透明绝缘基底之整个表面上形成一透明导电层,并利用第四道微影蚀刻制程,将该透明导电层定义形成一显示区域的图案;于该透明绝缘基底之整个表面上形成一第二金属层,并利用第五道微影蚀刻制程使该第二金属层定义形成一沿Y方向延伸之资料线以及一电容器之上电极,并使该第二金属层覆盖第一、第二岛状结构,其中该第一、第二岛状结构上方分别形成一第一、第二开口直至使该非晶矽层之表面暴露,其中该开口可使该第二金属层区分成一源/汲极区,使该掺杂非晶矽层区分成一源/汲极扩散区;以及于该透明绝缘基底之整个表面上形成一保护层,并利用第六道光罩将覆盖住该显示区域之该保护层去除。2.如申请专利范围第1项所述之主动式有机电激发光显示器的制作方法,另包含有下列步骤:于该透明绝缘基底之整个表面上形成一有机发光材料层;以及于该有机发光材料层之表面上形成一阴极金属层。3.如申请专利范围第2项所述之主动式有机电激发光显示器的制作方法,于形成该有机发光材料层之前,另包含有下列步骤:于该透明绝缘基底之整个表面上形成一屏蔽层;将该屏蔽层定义形成于该保护层表面上,使该屏蔽层可遮蔽该非晶矽层,并暴露该显示区域。4.如申请专利范围第3项所述之主动式有机电激发光显示器的制作方法,其中该屏蔽层系由不透明且绝缘之材质所构成。5.如申请专利范围第1项所述之主动式有机电激发光显示器的制作方法,其中该闸极绝缘层之厚度小于3000。6.如申请专利范围第1项所述之主动式有机电激发光显示器的制作方法,其中该非晶矽层之成长速度小于4.0/s。7.如申请专利范围第1项所述之主动式有机电激发光显示器的制作方法,其中该透明导电层系由ITO材质所构成。8.如申请专利范围第1项所述之主动式有机电激发光显示器的制作方法,其中该第一金属层亦可定义形成一沿X方向延伸之源极线。9.如申请专利范围第8项所述之主动式有机电激发光显示器的制作方法,其中该第一扫描线、该第二扫描线以及该源极线系依顺序平行排列,而该电容器之下电极系位于该第一扫描线与该第二扫描线之间。图式简单说明:第1图,其显示本发明第一实施例之非晶矽TFT之OLED的上视图。第2A至2G图乃沿第1图之切线A-A'显示本发明第一实施例之非晶矽TFT之OLED制程方法的剖面示意图。第3A至3G图乃沿第1图之切线B-B'显示本发明第一实施例之非晶矽TFT之OLED制程方法的剖面示意图。第4A图乃沿第1图之切线A-A'显示本发明第二实施例之非晶矽TFT之OLED制程方法的剖面示意图。第4B图乃沿第1图之切线B-B'显示本发明第二实施例之非晶矽TFT之OLED制程方法的剖面示意图。第5图显示本发明第三实施例之非晶矽TFT之OLED的上视图。 |
