| 发明名称 | 半导体结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体结构包括衬底、至少一个第一外延层和至少一个第二外延层。衬底具有在其中多维布置的多个凹槽。第一外延层至少设置在衬底的凹槽中。第二外延层设置在第一外延层上。本发明实施例涉及半导体结构及其制造方法。 | ||
| 申请公布号 | CN105895585A | 申请公布日期 | 2016.08.24 |
| 申请号 | CN201510755897.3 | 申请日期 | 2015.11.09 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 李东颖;陈孟谷;黄玉莲 |
| 分类号 | H01L21/8238(2006.01)I;H01L27/092(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/16(2006.01)I;H01L29/20(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8238(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;李伟 |
| 主权项 | 一种半导体结构，包括：衬底，具有多维地布置在所述衬底中的多个凹槽；至少一个第一外延层，至少设置在所述衬底的凹槽中；以及至少一个第二外延层，设置在所述第一外延层上。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||