| 摘要 |
<p>L'invention concerne un assemblage de deux paires de diodes dans un substrat semiconducteur unique (20) d'un premier type de conductivité, la première paire comprenant une première diode (D1) en série avec une deuxième diode (D2), la deuxième paire comprenant une troisième diode (D3) en série avec une quatrième diode (D4), les deux paires de diodes étant disposées en parallèle. Chacune des première et troisième diodes comprend des régions voisines de types de conductivité distincts formées dans un caisson faiblement dopé du second type de conductivité, ces caissons étant disjoints ; chacune des deuxième et quatrième diodes comprend des régions disjointes de types de conductivité distincts ; et des métallisations (M1-M4) relient les électrodes des diodes pour former le montage série-parallèle recherché. Chacune des paires de diodes en série est associée à une structure de thyristor parasite. Si un courant élevé correspondant à une décharge électrostatique (ESD) est amené à s'écouler dans les diodes D1 et D2, la tension aux bornes des diodes croît quand le courant qui les traverse augmente. Ici, dès que ce courant dépasse un certain seuil, le thyristor parasite Th1 entre en conduction et la tension entre les bornes 10 et 11 chute. Le thryristor parasite Th2 joue un rôle équivalent dans le cas d'une ESD de polarité opposée. <IMAGE> <IMAGE></p> |
