发明名称 |
声表面波元件及其制造方法以及使用该元件的声表面波装置及其制造方法 |
摘要 |
本发明揭示一种声表面波元件及其制造方法以及使用该元件的声表面波装置及其制造方法。声表面波装置具备声表面波元件(1)、封装容器(20)、及封装电极(21)。声表面波元件(10)包括压电基板(1)、接地电极(4)、中间电极(7)、上部电极(8)和补片电极(9)。中间电极(7)由Cr浓度15~30重量%的NiCr组成。接地电极(4)等电极衬垫、及上部电极(8)由Al组成。对补片电极(9)在施加超声波或热的同时,将补片电极(9)按压在封装电极(21)上面接合。本发明提供在落下试验中不会产生从封装容器上剥离,并特性良好的声表面波装置。 |
申请公布号 |
CN1211922C |
申请公布日期 |
2005.07.20 |
申请号 |
CN02127132.1 |
申请日期 |
2002.07.26 |
申请人 |
株式会社村田制作所 |
发明人 |
坂口健二;渡边雅信;高取光司 |
分类号 |
H03H9/145;H03H3/08;H01L21/60 |
主分类号 |
H03H9/145 |
代理机构 |
上海专利商标事务所有限公司 |
代理人 |
孙敬国 |
主权项 |
1.一种声表面波元件,其特征在于,包括压电基板、在所述压电基板的一主面上形成的梳形电极、在所述压电基板的所述一主面上形成的电极衬垫,在所述电极衬垫上形成的中间电极、在所述中间电极上形成的上部电极、及在所述上部电极上形成的补片电极,所述中间电极由拉伸应力低于106Pa、与所述电极衬垫或所述上部电极的粘接力大于107Pa的NiCr薄膜组成。 |
地址 |
日本京都府 |