| 发明名称 | 具有再生长栅极的自对准沟槽场效应晶体管和具有再生长基极接触区的双极结型晶体管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明描述了具有垂直沟道和自对准再生长栅极的结型场效应晶体管以及这些器件的制造方法。该方法采用选择性生长和/或选择性去除半导体材料的技术，从而沿着沟道的侧面并在将源极指分隔开的沟槽底部上形成p－n结栅极。本发明还描述了具有自对准再生基极接触区的双极结型晶体管的制造方法以及这些器件的制造方法。能够在碳化硅中制造这些半导体器件。 | ||
| 申请公布号 | CN101341579A | 申请公布日期 | 2009.01.07 |
| 申请号 | CN200680045715.2 | 申请日期 | 2006.12.04 |
| 申请人 | 半南实验室公司 | 发明人 | 约瑟夫·尼尔·梅里特;伊格尔·桑金 |
| 分类号 | H01L21/04(2006.01);H01L29/737(2006.01);H01L29/808(2006.01) | 主分类号 | H01L21/04(2006.01) |
| 代理机构 | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 余朦;方挺 |
| 主权项 | 1、一种半导体器件的制造方法，包括：在第一导电类型的半导体材料的源极/发射极层的上表面上设置掩模，其中所述源极/发射极层位于所述第一导电类型的半导体材料的沟道层上或者与所述第一导电类型不同的第二导电类型的半导体材料的基极层上，其中所述沟道层或基极层位于所述第一导电类型的半导体材料的漂移层上，并且其中所述漂移层位于半导体衬底层上；通过所述掩模中的开口，选择性地蚀刻穿过所述源极/发射极层并选择性地蚀刻到下层的所述沟道层或基极层中，从而形成具有底面和侧壁的一个或多个蚀刻出的部位；通过所述掩模中的开口，在所述蚀刻出的部位的所述底面和侧壁上外延生长所述第二导电类型的半导体材料，从而形成栅极区/基极接触区，其中所述掩模阻止了在所述源极/发射极层的掩蔽的上表面上的生长；随后用平坦化材料填充所述蚀刻出的部位；蚀刻所述栅极区/基极接触区，直至所述栅极区/基极接触区不再与所述源极/发射极层接触；以及去除在蚀刻所述栅极区/基极接触区之后残留的掩模和平坦化材料。 | ||
| 地址 | 美国密西西比州 | ||