DEPFET-Transistor mit großem Dynamikbereich und Halbleiterdetektor

摘要

Die Erfindung betrifft einen DEPFET-Transistor (1) zur Erfassung einer strahlungsgenerierten Signalladung (2) und zur Erzeugung eines elektrischen Ausgangssignals in Abhängigkeit von der erfassten Signalladung (2) entsprechend einer vorgegebenen Kennlinie. Die Erfindung sieht vor, dass die Kennlinie einen degressiven Kennlinienverlauf aufweist, um eine hohe Messempfindlichkeit bei kleinen Signalladungen (2) mit einem großen Messbereich bis hin zu großen Signalladungen (2) zu kombinieren.