发明名称 用于制造电容叠层和电子互联平台的方法
摘要 提供嵌入制造电容叠层的新方法和新型电容叠层装置,该装置具有用作结构衬底的电容核心,在该电容核心上可添加交替的导电箔和装载有纳米粉末的介电层并测试可靠性。这种分层和测试允许此电容叠层的介电薄层的早期缺陷检测。电容叠层可经构造后提供多个隔离的电容元件,这些电容元件向一个或多个电气部件提供孤立的、设备特有的解耦电容。电容叠层可用作核心衬底,在其上可耦合多层电路板的多个附加信号层。
申请公布号 CN101682989B 申请公布日期 2016.10.26
申请号 CN200880015225.7 申请日期 2008.03.10
申请人 新美亚通讯设备有限公司 发明人 乔治·杜德尼科夫
分类号 H05K1/16(2006.01)I 主分类号 H05K1/16(2006.01)I
代理机构 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 代理人 颜涛;郑霞
主权项 一种用于制造具有高电容密度的电容叠层的方法,所述方法包括:形成含有夹在第一个导电层和第二个导电层之间的第一个介电层的基本刚性的平面核心电容衬底,其中所述基本刚性的核心电容衬底提供用于耦合附加的导电箔和介电层的结构刚度;在所述第一个导电层上形成一个或多个间隙的图样;在将第二个介电层耦合至所述第一个导电层之前,用环氧树脂填充所述第一个导电层上的所述一个或多个间隙;将所述第二个介电层涂覆于具有0.12到1密耳之间的厚度的第一个导电箔,所述第二个介电层包括载有经选择以实现期望介电常数的纳米粉末的非固化或半固化的介电材料,所述第二个介电层提供每平方英寸5到60纳法之间的电容密度,且厚度在0.8到1密耳之间;将所述第二个介电层的曝露面耦合至所述第一个导电层;固化所述第二个介电层的所述介电材料;将第三个介电层涂覆于第二个导电箔,所述第三个介电层包括载有经选择以实现期望介电常数的纳米粉末的非固化或半固化的介电材料;将所述第三个介电层的曝露面耦合至所述第二个导电层;固化所述第三个介电层的所述介电材料;按次序地将所述第二个介电层和所述第三个介电层以及任何后续介电层添加到所述基本刚性的核心电容衬底上;当添加每个介电层时,测试该添加的介电层的完整性;以及一旦在所测试的介电层中发现有缺陷,立即报废所述电容叠层。
地址 美国加利福尼亚州
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