| 摘要 |
반도체 소자의 제조방법은, 기판 상에 활성 패턴 및 상기 활성 패턴을 가로지르는 게이트 전극을 형성하는 것, 상기 게이트 전극의 일 측에 상기 활성 패턴에 연결되는 제1 콘택을 형성하는 것, 상기 게이트 전극에 연결되는 제2 콘택을 형성하는 것, 및 상기 게이트 전극의 상기 일 측에 상기 제1 콘택에 연결되는 제3 콘택을 형성하는 것을 포함한다. 상기 제3 콘택은 상기 제1 콘택과 다른 포토 마스크를 이용하여 형성되고, 상기 제3 콘택의 하면의 높이는 상기 제1 콘택의 상면의 높이보다 낮다. |
