半导体装置之制造方法

摘要

本发明提供一种半导体装置之制造方法，包括有以下步骤。于半导体基板(1)上依序形成氮化矽膜(2)、以及作为反射防止膜之氮化矽氧化膜。将氮化矽膜(2)以及氮化矽氧化膜图案化。对氮化矽氧化膜施加使氧原子量减少之还原处理。以经过还原处理后之氮化矽氧化膜(3a)与氮化矽膜(2)作为遮罩并蚀刻矽基板(1)，而在矽基板(1)之主表面上形成沟渠。并于该沟渠内埋设绝缘膜。