Verringern von Schaltverlusten in Zusammenhang mit einem synchron gleichrichtenden Mosfet

摘要

Es wird ein Synchrongleichrichter beschrieben, der ein Transistorbauelement aufweist, die einen Gate-Anschluss, einen Source-Anschluss, einen Drain-Anschluss und eine Feldplattenelektrode aufweist. Die Feldplattenelektrode des Transistorbauelements weist eine integrierte Diode auf. Die integrierte Diode ist dazu ausgebildet, eine parasitäre Kapazität des Transistorbauelements während jedes Schaltvorgangs des Synchrongleichrichters zu entladen. Bei einigen Beispielen ist die integrierte Diode auch dazu ausgebildet, die parasitäre Kapazität des Transistorbauelements während jedes Schaltvorgangs des Synchrongleichrichters zu laden.