| 摘要 |
본 발명은 ArF 이머젼 포토레지스트(Immersion Photoresist) 중 네거티브 톤 현상(Negative Tone Development) 포토레지스트에 이용될 수 있는 미세 패턴 형성용 코팅 조성물 및 이를 이용한 미세 패턴 형성 방법에 관한 것으로서, 상기 미세 패턴 형성용 코팅 조성물은 화학식 1 내지 화학식 3으로 표시되는 반복 단위 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 제1 반복 단위를 포함하는 수지를 포함한다. 상기 화학식 1 내지 화학식 3은 발명의 상세한 설명에 기재된 바와 동일하다. 상기 미세 패턴 형성용 코팅 조성물은 별도의 온도를 가하는 공정 없이도 0.05㎛ 미만의 미세 패턴을 형성할 수 있도록 하며, 반도체 제조 공정에서 미세 패턴 형성시 발생하는 탑 라운딩, 언더컷 등 포토레지스트 패턴의 구조적 결함을 최소화함으로써 다양한 패턴들을 포함하는 반도체 소자의 소형화 및 안정성을 현저히 증가시킬 수 있다. |
