高电压晶体管结构及其方法

摘要

本发明提供了一种高电压晶体管结构及其方法。其中，一种高电压晶体管结构包括形成在衬底的第一阱中的第一双扩散区和第二双扩散区，其中第一双扩散区和第二双扩散区具有与衬底相同的导电性，形成在第一双扩散区中的第一漏极/源极区，形成在第一阱上方的第一栅电极，和形成在第二双扩散区中的第二漏极/源极区。高电压晶体管结构进一步包括形成在第一栅电极的第一侧上的第一间隔件，其中第一间隔件位于第一漏极/源极区和第一栅电极之间，形成在第一栅电极的第二侧上的第二间隔件，以及形成在第二漏极/源极区和第二间隔件之间的第一氧化物保护层。

主权项

一种半导体器件，包括：衬底，具有第一导电性；第一阱，形成在所述衬底中，所述第一阱具有第二导电性；第一双扩散区，形成在所述第一阱中，所述第一双扩散区具有所述第一导电性；第二双扩散区，形成在所述第一阱中，所述第二双扩散区具有所述第一导电性，其中，所述第二双扩散区的底面与所述第一双扩散区的底面齐平；第一漏极/源极区，形成在所述第一双扩散区中，所述第一漏极/源极区具有所述第一导电性，其中，所述第一漏极/源极区的侧壁和底部被所述第一双扩散区围绕；第一栅电极，形成在所述第一阱上方；第一间隔件，形成在所述第一栅电极的第一侧上，所述第一间隔件位于所述第一漏极/源极区和所述第一栅电极之间；第二间隔件，形成在所述第一栅电极的第二侧上；第二漏极/源极区，形成在所述第二双扩散区中；以及第一保护介电层，形成在所述第二漏极/源极区和所述第二间隔件之间。