| 发明名称 | 一种低漏电流铁酸铋薄膜 | ||
| 摘要 | 本实用新型公开了一种低漏电流铁酸铋薄膜，所述薄膜包括衬底，以及衬底上的Bi<sub>4‑</sub><sub><i>x</i></sub>Nd<sub><i>x</i></sub>Ti<sub>3</sub>O<sub>12</sub>薄膜层，Bi<sub>4‑<i>x</i></sub>Nd<sub><i>x</i></sub>Ti<sub>3</sub>O<sub>12</sub>薄膜层上是BiFeO<sub>3</sub>薄膜层，并且Bi<sub>4‑<i>x</i></sub>Nd<sub><i>x</i></sub>Ti<sub>3</sub>O<sub>12</sub>薄膜层与BiFeO<sub>3</sub>薄膜层交替搭配，形成Bi<sub>4‑<i>x</i></sub>Nd<sub><i>x</i></sub>Ti<sub>3</sub>O<sub>12</sub>/BiFeO<sub>3</sub>复合薄膜，其中X的取值范围是0.4‑0.85。本实用新型通过在BiFeO<sub>3</sub>薄膜与衬底间引入Bi<sub>4‑<i>x</i></sub>Nd<sub><i>x</i></sub>Ti<sub>3</sub>O<sub>12</sub>铁电薄膜缓冲层来降低BiFeO<sub>3</sub>薄膜的漏电流，提高铁电性能，在高电场下，该复合薄膜的漏电流密度比纯BiFeO<sub>3</sub>薄膜降低了4个数量级，铁电性能也得到了很大的提高。 | ||
| 申请公布号 | CN205429011U | 申请公布日期 | 2016.08.03 |
| 申请号 | CN201620211105.6 | 申请日期 | 2016.03.21 |
| 申请人 | 桂林电子科技大学 | 发明人 | 王华;韩冬;许积文;杨玲;丘伟 |
| 分类号 | H01L43/10(2006.01)I | 主分类号 | H01L43/10(2006.01)I |
| 代理机构 | 广州市一新专利商标事务所有限公司 44220 | 代理人 | 滕杰锋 |
| 主权项 | 一种低漏电流铁酸铋薄膜，包括衬底，其特征在于：衬底上是Bi<sub>4‑x</sub>Nd<sub>x</sub>Ti<sub>3</sub>O<sub>12</sub>薄膜层，Bi<sub>4‑x</sub>Nd<sub>x</sub>Ti<sub>3</sub>O<sub>12</sub>薄膜层上是BiFeO<sub>3</sub>薄膜层，并且Bi<sub>4‑x</sub>Nd<sub>x</sub>Ti<sub>3</sub>O<sub>12</sub>薄膜层与BiFeO<sub>3</sub>薄膜层交替搭配，形成Bi<sub>4‑x</sub>Nd<sub>x</sub>Ti<sub>3</sub>O<sub>12</sub>/BiFeO<sub>3</sub>复合薄膜，Bi<sub>4‑x</sub>Nd<sub>x</sub>Ti<sub>3</sub>O<sub>12</sub>/BiFeO<sub>3</sub>复合薄膜上制备了上电极，其中X的取值范围是0.4‑0.85。 | ||
| 地址 | 541004 广西壮族自治区桂林市七星区金鸡路1号 | ||