| 发明名称 | 结晶硅的方法、结晶硅的装置，薄膜晶体管及显示装置 | ||
| 摘要 | 生成脉冲频率高于约300Hz的光。该光在非晶硅薄膜上照射预定时间段，以形成初始多晶硅晶体；沿预定方向移动该光以使初始多晶硅晶体生长。将输出能量降低了的激光束照射在非晶硅薄膜上，以将非晶硅薄膜结晶成多晶硅薄膜，使得降低了生成激光束用装置的负载，并且增加了生成激光束用装置的寿命。 | ||
| 申请公布号 | CN101120123A | 申请公布日期 | 2008.02.06 |
| 申请号 | CN200480041589.4 | 申请日期 | 2004.05.13 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 金东范;郑世镇;郑义振 |
| 分类号 | C30B29/06(2006.01);H01L29/04(2006.01);C30B30/00(2006.01);G02F1/1368(2006.01);C30B35/00(2006.01) | 主分类号 | C30B29/06(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 吴秋明 |
| 主权项 | 1.一种结晶硅的方法，包括：生成脉冲频率高于约300Hz的光；将所述光在至少一个非晶硅薄膜上照射预定时间段，以形成初始多晶硅晶体；并且沿预定方向移动所述光以使所述初始多晶硅晶体生长。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||