发明名称 混合集成部件及其制造方法
摘要 提出一种混合集成部件(100),其包括具有集成电路元件(12)和后端叠堆(13)的至少一个ASIC构件(10)、具有在MEMS衬底的整个厚度上延伸的微机械结构的MEMS构件(20)和罩晶片(30)并且配备有附加的微机械功能。在此MEMS构件(20)如此装配在ASIC构件(10)上,使得在微机械结构和ASIC构件(10)的后端叠堆(13)之间存在间隙(21)。罩晶片(30)装配在MEMS构件(20)的微机械结构上方。根据本发明,在ASIC构件(10)的后端叠堆(13)中构造具有电容器装置的至少一个可偏转的电极的压敏的膜片结构(16)。膜片结构(16)覆盖ASIC构件(10)的背侧中的压力连接端(17)。
申请公布号 CN103508408B 申请公布日期 2016.12.28
申请号 CN201310235022.1 申请日期 2013.06.14
申请人 罗伯特·博世有限公司 发明人 H·韦伯
分类号 B81B7/00(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I 主分类号 B81B7/00(2006.01)I
代理机构 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人 郭毅
主权项 一种混合集成部件(100),其至少包括:具有集成电路元件(12)和后端叠堆(13)的ASIC构件(10);具有在MEMS衬底(20)的整个厚度上延伸的微机械结构的MEMS构件(20);罩晶片(30),其中,所述MEMS构件(20)如此装配在所述ASIC构件(10)上,使得在所述微机械结构和所述ASIC构件(10)的后端叠堆(13)之间存在间隙(21),其中,所述罩晶片(30)装配在所述MEMS构件(20)的所述微机械结构上方,其特征在于,在所述ASIC构件(10)的所述后端叠堆(13)中构造有压敏的膜片结构(16),所述膜片结构具有电容器装置的至少一个可偏转的电极,并且所述膜片结构(16)覆盖所述ASIC构件(10)的背侧中的压力连接端(17)。
地址 德国斯图加特