| 发明名称 | 防止保险丝的侧壁损坏的半导体器件的后段工艺方法 | ||
| 摘要 | 一种防止保险丝的侧壁损坏的半导体器件的后段工艺方法，该方法是在基底上形成保险丝之后，先在保险丝的侧壁形成一间隙壁，再于基底上形成介电层与保护层，接着，再将保护层与介电层图案化，以形成保险丝开口。由于保险丝其侧壁上具有间隙壁，因此，在形成保险丝开口的蚀刻与清洗工艺中，间隙壁可以保护保险丝，避免其侧壁遭受损坏。 | ||
| 申请公布号 | CN1531058A | 申请公布日期 | 2004.09.22 |
| 申请号 | CN03119181.9 | 申请日期 | 2003.03.13 |
| 申请人 | 南亚科技股份有限公司 | 发明人 | 王建中;吴国坚 |
| 分类号 | H01L21/768;H01L23/525 | 主分类号 | H01L21/768 |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 王学强 |
| 主权项 | 1.一种防止保险丝的侧壁损坏的半导体器件的后段工艺方法，其特征在于该方法包括：提供一基底，该基底上已形成一保险丝；于该保险丝的侧壁形成一间隙壁；于该基底上形成一介电层；于该基底上形成一保护层；以及图案化该保护层与该介电层，以形成一保险丝开口。 | ||
| 地址 | 台湾省桃园县龟山乡华亚科技园区复兴三路669号 | ||