| 发明名称 | 铜金属化工艺 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种减少铜金属化过程中产生的铜金属突起的方法，其步骤包括：于基板上形成具有开口的介电层，形成铜金属层以填充该开口，研磨该铜金属层至该开口中铜金属层露出；提供氟离子至该铜金属层，以减少铜金属突起并于该铜金属层表面形成缓冲区；之后，于该铜金属层上原位沉积覆盖层。本发明利用氟离子移除自然形成于铜金属表面的氧化铜，并利用该缓冲区将铜金属中的热垂直应力转换成水平应力，藉以避免铜金属突起的形成。 | ||
| 申请公布号 | CN1314103C | 申请公布日期 | 2007.05.02 |
| 申请号 | CN200510001816.7 | 申请日期 | 2005.01.13 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 蔡释严;吕伯雄;杨佳明;刘沧宇;范彧达;范振朋 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01);H01L21/3205(2006.01);H01L21/28(2006.01) | 主分类号 | H01L21/768(2006.01) |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人 | 黄健 |
| 主权项 | 1.一种铜金属化工艺，包括：于基板上形成具有开口的介电层；形成铜金属层以填充该开口；提供腐蚀气体至该铜金属表面，使该铜金属层的表面上形成缓冲区；于该铜金属层以及该缓冲区上沉积覆盖层。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区 | ||