| 主权项 |
1.一种发光二极体封装结构,系包括:金属支架,系具有呈分离状态之第一及第二支脚;静电防护二极体晶粒,系设置于该金属支架之该第一支脚;包覆胶体,系包覆整个该静电防护二极体晶粒于该金属支架之该第一支脚上,该包覆胶体系为可透光材质,并具有光扩散剂散布于该可透光材质内;氮化镓系发光二极体晶粒,系具有绝缘基板,该绝缘基板设置于该金属支架之该第二支脚;至少三金属导线,系两两电连接于该金属支架、该静电防护二极体晶粒、以及该氮化镓系发光二极体晶粒之间,其中,该静电防护二极体晶粒与该氮化镓系发光二极体晶粒系呈反向并联设置;及封装胶体,系包覆该静电防护二极体晶粒与其包覆胶体、该氮化镓系发光二极体晶粒以及该金属导线于该金属支架上。2.如申请专利范围第1项所述之发光二极体封装结构,其中该静电防护二极体晶粒系为一齐纳二极体(Zener diode)或一瞬变抑制二极体(TVS)。3.如申请专利范围第1项所述之发光二极体封装结构,其中该光扩散剂系为一碳酸钙、氧化铝、矽土类或二氧化矽之材料。4.如申请专利范围第1项所述之发光二极体封装结构,其中该包覆胶体系为一环氧树脂或矽胶树脂材料。5.如申请专利范围第1项所述之发光二极体封装结构,其中该封装胶体系为一环氧树脂或矽胶树脂材料。6.如申请专利范围第1项所述之发光二极体封装结构,其中更包含一萤光粉均匀地分布于该封装胶体之中。7.如申请专利范围第1项所述之该静电防护二极体晶粒系藉导电材料电连接其P电极端至该金属支架之该第一支脚。8.如申请专利范围第7项所述之发光二极体封装结构,其中该三金属导线系包括第一、第二、第三金属导线,该第一金属导线系由该氮化镓系发光二极体晶粒之P电极端电连接至该金属支架之该第二支脚、该第二金属导线系由该静电防护二极体晶粒之N电极端电连接至该金属支架之该第二支脚、该第三导线系由该氮化镓系发光二极体晶粒之N电极端电连接至该静电防护二极体晶粒之P电极端。图式简单说明:第一图所示,系为习知发光二极体封装结构之剖视示意图;第二图所示,系为本创作之最佳实施例之发光二极体封装结构之剖视示意图;及第三图所示,系为本创作之最佳实施例之发光二极体封装结构之放大示意图。 |
