发明名称 Halbleitervorrichtung und Verfahren zur Herstellung derselben
摘要 Es wird eine verbesserte Gehäuseordnungsstruktur geschaffen, welche an verschiedene Vorrichtungsmodelle und Spezifikationen flexibel anpassbar ist, indem sie ein äußeres Kunstharzgehäuse einer Halbleitervorrichtung als ein gemeinsames Bauelement verwendet. In einer Halbleitervorrichtung ist ein äußeres Kunstharzgehäuse mit einer Substratanordnung aus einem wärmeableitenden Metallträger, einer isolierenden Leiterplatte und einem Halbleiter-Chip kombiniert, wobei L-förmige Beinteile in der Wand des äußeren Kunstharzgehäuses angeordneter äußerer Anschlussklemmen ins Innere des Gehäuses gezogen sind und Kontaktierungsdrähte die Anschlussklemmen-Beinteile mit einem Leitermuster der isolierenden Leiterplatte verbinden, eine Vielzahl von Anschlussklemmen-Befestigungslöchern in der peripheren Wand des äußeren Kunstharzgehäuses durch Gießen im Voraus gebildet sind und äußere Anschlussklemmen für die Montage in den erforderlichen Anschlussklemmen-Befestigungslöchern angebracht sind. Hier sind die Anschlussklemmen-Befestigungslöcher so verteilt und gebildet, dass sie sich an Anschlussklemmen-Anordnungen anpassen, welche je nach dem Vorrichtungsmodell und den Spezifikationen unterschiedlich ausfallen, und bei der Gehäusemontage werden die erforderlichen äußeren Anschlussklemmen in entsprechend den spezifizierten Spezifikationen ausgewählte Anschlussklemmen-Befestigungslöcher gedrückt und darin befestigt.
申请公布号 DE102008012703(A1) 申请公布日期 2008.09.11
申请号 DE20081012703 申请日期 2008.03.05
申请人 FUJI ELECTRIC DEVICE TECHNOLOGY CO. LTD. 发明人 YOSHIHARA, KATSUHIKO;MARUYAMA, RIKIHIRO;CHINO, MASAAKI;MOCHIZUKI, EIJI;YOKOYAMA, MOTOKIYO;NISHIZAWA, TATSUO;SUGIYAMA, TOMONOBU
分类号 H01L23/50;H01L21/60 主分类号 H01L23/50
代理机构 代理人
主权项
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