| 发明名称 | 氟化物单结晶的热处理方法及制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明在于提供为了得到高精度的光学体系中可使用的氟化钙单结晶的热处理方法和制造方法。氟化物单结晶的热处理方法,它具有除去氟化物单结晶表面的吸附物或附着物的表面清净工序;加热保持除去上述吸附物或附着物的氟化物单结晶后,慢慢地冷却的热处理工序和除去由于上述热处理,氟化物单结晶表面上形成的变质层的变质层除去工序。 | ||
| 申请公布号 | CN1242440A | 申请公布日期 | 2000.01.26 |
| 申请号 | CN98117200.8 | 申请日期 | 1998.08.18 |
| 申请人 | 株式会社尼康 | 发明人 | 水垣勉;高野修一 |
| 分类号 | C30B29/12;C30B33/02 | 主分类号 | C30B29/12 |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 王维玉 |
| 主权项 | 1.氟化物单结晶的热处理方法，它具有除去氟化物单结晶表面的吸附物或附着物的表面清净工序，和加热保持除去上述吸附物或附着物的氟化物单结晶后，慢慢地冷却的热处理工序。 | ||
| 地址 | 日本东京市 | ||