发明名称 固体摄像装置
摘要 一种固体摄像装置能不将复位栅极下区域的电位偏差被反馈到复位栅电压,必须较小地设定复位栅极要施加脉冲振幅,使消耗电力降低。该装置具有存储部1、电荷检测部9、排出部2、复位部和复位电压设定机构17,复位电压设定机构17在供给规定电压VRD的一端和接地的另一端之间串联连接着第1、第2电阻元件,连接第1电阻元件R1和第2电阻元件T1的节点被连接在复位电压施加电极上,第2电阻元件T1由耗尽型MOS晶体管构成,该D型杂质层由与复位部的D型杂质层相同的工艺方法构成。
申请公布号 CN1177213A 申请公布日期 1998.03.25
申请号 CN97114919.4 申请日期 1997.05.30
申请人 东芝株式会社 发明人 荒川贤一
分类号 H01L27/14 主分类号 H01L27/14
代理机构 上海专利商标事务所 代理人 孙敬国
主权项 1、一种固体摄像装置,其特征在于该装置具有在半导体基片的表面部分形成的、提供从邻接的CCD传送来的信号电荷并存储的存储部,检测上述存储部所存储的信号电荷并向外部输出检测信号的电荷检测部,在上述半导体基片的表面部分以与上述存储部隔开规定距离形成的排出部,以在上述存储部和上述排出部之间所设置的耗尽型MOS晶体管构成的复位部,和设定在上述复位部所施加的复位电压的复位电压设定机构;上述复位电压设定机构在供给规定电压的一端与接地的另一端之间串联连接着第1、第2电阻元件,连接上述第1电阻元件和第2电阻元件的节点与上述复位电压附加电极连接,上述第2电阻元件由耗尽型MOS晶体管构成,该耗尽型MOS晶体管的耗尽型杂质层是由与上述复位部的耗尽型杂质相同的工艺方法形成的。
地址 日本神奈川