| 摘要 |
본 발명은 전도체 경로(12)가 접속부를 제외하고 전체적으로 플라스틱 하우징으로 둘러싸인 플라스틱 사출 오버몰드 전도체 경로 구조(10)에 관한 것으로, 이 경우 하우징은 제 1 사출 성형 과정(예비 사출 오버몰딩)으로 제조된 제 1 하우징 섹션(16) 및 접촉면을 통해 직접 거기에 인접하며 제 2 사출 성형 과정(메인 사출 오버몰딩)으로 제조된 제 2 하우징 섹션을 포함한다. 본 발명은, 하우징이 접촉면의 영역에서 규정된 형태와 크기로 형성된 적어도 하나의 재료 리세스(20)를 갖는 것을 특징으로 한다. |
