发明名称 | 沉积过程的工作平台 | ||
摘要 | 一种进行Ti/TiN薄膜沉积过程的工作平台,包括有:一物理气相沉积(physical vapor deposiTion,PVD)真空反应室;至少一金属有机化学气相沉积(metal-organic chemical vapor deposi Tion,MOCVD)真空反应室;以及一无线电波波频(radio frequency,RF)处理反应室;其中RF处理反应室可以取代MOCVD真空反应室的等离子处理过程,以增加工作平台的产量。 | ||
申请公布号 | CN1172022C | 申请公布日期 | 2004.10.20 |
申请号 | CN01136241.3 | 申请日期 | 2001.10.11 |
申请人 | 矽统科技股份有限公司 | 发明人 | 林沧荣;黄昭元 |
分类号 | C23C16/00;C23C16/44;C23C16/54 | 主分类号 | C23C16/00 |
代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人 | 李强 |
主权项 | 1.一种沉积过程的工作平台,其特征是:包括有:一物理气相沉积真空反应室;至少一金属有机化学气相沉积真空反应室;一无线电波波频处理反应室。 | ||
地址 | 台湾省新竹科学园区 |