发明名称 |
存储器元件的制作方法 |
摘要 |
本发明公开了一种存储器元件的制作方法,包括下述步骤:首先于基材上形成多层叠层结构(multi-laver stack);然后,图案化多层叠层结构,以形成沿着第一方向延伸的多条沟道,藉以定义出多个脊状多层叠层;其中,每一个脊状多层叠层至少包括一条导电条带;之后,于沟道的底部和侧壁上依序形成存储层和通道层;再形成牺牲层,以填满沟道;后续,移除位于沟道中的一部分通道层、存储层和牺牲层,而形成多个开口,将一部分基材暴露于外;移除剩余的牺牲层之后,图案化位于脊状多层叠层上的通道层和存储层,藉以连通位于相邻沟道中的开口。 |
申请公布号 |
CN105990246A |
申请公布日期 |
2016.10.05 |
申请号 |
CN201510063077.8 |
申请日期 |
2015.02.06 |
申请人 |
旺宏电子股份有限公司 |
发明人 |
赖二琨 |
分类号 |
H01L21/8247(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/8247(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
任岩 |
主权项 |
一种存储器元件的制作方法,包括:于一基材上形成一多层叠层结构(multi‑layer stack);图案化该多层叠层结构,以形成多条沟道沿着一第一方向延伸,以定义出多个脊状多层叠层;其中,每一这些脊状多层叠层至少包括一导电条带;于这些沟道的一底部和侧壁上依序形成一存储层以及一通道层;形成一牺牲层,填满该沟道;移除位于该沟道中的一部分该存储层、该通道层及该牺牲层,而形成多个开口,将一部分该基材暴露于外;移除剩余的该牺牲层,藉以在这些沟道中定义出多个空气间隙;图案化位于该脊状多层叠层上的该通道层和该存储层,以连通位于相邻沟道中的这些开口。 |
地址 |
中国台湾新竹科学工业园区力行路16号 |