| 发明名称 | 半导体发光元件 | ||
| 摘要 | 实施方式的半导体发光元件具备：第一导电型的第一半导体层；包含铜及含有铜的合金中的至少任一者的第一电极；设置在所述第一电极与所述第一半导体层之间、包含银及铝中的至少任一者的第一金属层；第二导电型的第二半导体层；及设置在所述第一半导体层与所述第二半导体层之间的第三半导体层。 | ||
| 申请公布号 | CN105990480A | 申请公布日期 | 2016.10.05 |
| 申请号 | CN201610007222.5 | 申请日期 | 2016.01.06 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 三木聪 |
| 分类号 | H01L33/06(2010.01)I;H01L33/14(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/06(2010.01)I |
| 代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人 | 张世俊 |
| 主权项 | 一种半导体发光元件，其特征在于具备：第一导电型的第一半导体层；第一电极，包含铜及含有铜的合金中的至少任一者；第一金属层，设置在所述第一电极与所述第一半导体层之间，包含银及铝中的至少任一者；第二导电型的第二半导体层；及第三半导体层，设置在所述第一半导体层与所述第二半导体层之间。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||