Verfahren zur Herstellung eines Mikrostrukturbauelements mit einer Metallisierungsstruktur mit selbstjustierten Luftspalten und wieder aufgefüllten Luftspaltausschließungszonen

摘要

Verfahren mit: Bilden mehrerer Aussparungen (121a, ..., 121e) in einer dielektrischen Schicht (151) einer Metallisierungsschicht (150) eines Halbleiterbauelements (100) durch Entfernen von Material der dielektrischen Schicht (151) zwischen mehreren Metallgebieten (152a, ..., 152e), die in der dielektrischen Schicht (151) gebildet sind; Füllen der Aussparungen (121a, ..., 121e) mit einem strahlungsempfindlichen Material (123); selektives Einwirken mit einer Strahlung (125) auf das strahlungsempfindliche Material (123), um einen bestrahlten Bereich (123e) und einen nicht bestrahlten Bereich (123n) des strahlungsempfindlichen Materials (123) zu erzeugen, wobei der bestrahlte Bereich (123e) in einer ersten Teilmenge der mehreren Aussparungen (121a, ..., 121e) und der nicht bestrahlte Bereich (123n) in einer zweiten Teilmenge der mehreren Aussparungen (121a, ..., 121e) gebildet ist; Ausführen eines speziellen Materialabtragungsprozesses (126), um den bestrahlten Bereich (123e) oder nicht bestrahlten Bereich (123n) zu entfernen; und Abscheiden einer dielektrischen Deckschicht (156), um Aussparungen (121a, ..., 121e) der ersten Teilmenge und der zweiten Teilmenge zur Herstellung eines Luftspalts (156a, 156b) zu verschließen.