发明名称 半导体存储装置
摘要 共用端子接收地址信号和数据信号。地址有效端子接收表示供给共用端子的信号是地址信号的地址有效信号。判优器决定优先外部存取请求和内部刷新请求中的哪一个。判优器响应芯片使能信号和地址有效信号的同为有效电平(外部存取请求)来禁止接收内部刷新请求。判优器响应读出操作或者写入操作的结束来允许接收内部刷新请求。其结果是,在具有接收地址信号和数据信号的共用端子的半导体存储装置中,能够防止读出操作以及写入操作和响应内部刷新请求的刷新操作相互冲突,从而防止误操作。
申请公布号 CN1989570A 申请公布日期 2007.06.27
申请号 CN200480043578.X 申请日期 2004.07.16
申请人 富士通株式会社 发明人 富田浩由;山口秀策
分类号 G11C11/403(2006.01) 主分类号 G11C11/403(2006.01)
代理机构 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 代理人 赵淑萍
主权项 1.一种半导体存储装置,其特征在于,包括:存储单元阵列,具有动态存储单元;刷新请求电路,以预定的周期发生内部刷新请求;共用端子,接收表示要存取的存储单元的地址信号和要写入存储单元的数据信号;芯片使能端子,在存取所述存储单元阵列时接收有效的芯片使能信号;地址有效端子,接收表示供应给所述共用端子的信号是所述地址信号的地址有效信号;存取检测电路,当所述芯片使能信号和所述地址有效信号同为有效电平时,检测外部存取请求;以及判优器,决定优先所述外部存取请求和所述内部刷新请求中的哪一个,并响应所述存取检测电路的检测来禁止接收所述内部刷新请求,响应与接收到的所述芯片使能信号和所述地址有效信号对应的读出操作或者写入操作的结束来允许接收所述内部刷新请求。
地址 日本神奈川县