| 发明名称 |
METHOD FOR FABRICATING GATE ELECTRODE OF SEMICONDUCTOR DEVICE TO PREVENT BORON IONS FROM PENETRATING POLYCRYSTALLINE SILICON AND GATE OXIDE LAYER AT HIGH TEMPERATURE |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
KR100504188(B1) |
申请公布日期 |
2005.07.20 |
| 申请号 |
KR19970079368 |
申请日期 |
1997.12.30 |
| 申请人 |
MAGNACHIP SEMICONDUCTOR, LTD. |
发明人 |
LEE, JONG GON |
| 分类号 |
H01L21/28;(IPC1-7):H01L21/28 |
主分类号 |
H01L21/28 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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