| 发明名称 | 固体摄像装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种固体摄像装置，其可以实现线性特性及动态范围两者的提高。固体摄像装置的各像素部(P<sub>m，n</sub>)包括：埋入型光敏二极管(PD)，产生与入射光强度的量相应的电荷；电容元件(C)，与埋入型光敏二极管(PD)并联连接，储存由该埋入型光敏二极管(PD)产生的电荷；放大晶体管(T<sub>1</sub>)，输出与输入到门极端子的电压值相应的电压值；传送晶体管(T<sub>2</sub>)，将与电容元件(C)的储存电荷量相应的电压值向放大晶体管(T<sub>1</sub>)的门极端子输入；放电晶体管(T<sub>3</sub>)，进行电容元件(C)的电荷的放电；选择晶体管(T<sub>4</sub>)，选择性地向配线(L<sub>n</sub>)输出从放大晶体管(T<sub>1</sub>)输出的电压值。 | ||
| 申请公布号 | CN100568519C | 申请公布日期 | 2009.12.09 |
| 申请号 | CN200680001903.5 | 申请日期 | 2006.02.02 |
| 申请人 | 浜松光子学株式会社 | 发明人 | 森治通;藤田一树;久嶋龙次;本田真彦;水野诚一郎 |
| 分类号 | H01L27/146(2006.01)I;H04N5/335(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/146(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人 | 龙 淳 |
| 主权项 | 1.一种固体摄像装置，多个像素部被排列为一维或二维状，其特征在于，所述多个像素部分别具备：埋入型光敏二极管，产生与入射光强度的量相应的电荷；电容元件，与所述埋入型光敏二极管并联连接，储存由所述埋入型光敏二极管产生的电荷；和传送晶体管，与所述光敏二极管连接，所述埋入型光敏二极管具备：P型第1半导体区域；在所述第1半导体区域内形成的n型第2半导体区域；在所述第2半导体区域上形成的p型第3半导体区域；和横跨所述第1半导体区域和所述第2半导体区域两者而形成的n型第4半导体区域，所述传送晶体管具备：作为源极端子的所述第4半导体区域；和作为漏极端子的n型第5半导体区域，所述第4半导体区域作为：所述光敏二极管的阴极、所述传送晶体管的源极端子、以及所述电容元件的一端。 | ||
| 地址 | 日本静冈县 | ||