发明名称 一种硅块的少子寿命检测方法
摘要 本发明公开了一种少子寿命检测方法,包括:将硅锭的顶面划分为多个阵列排布的区域,在所述硅锭高度方向上,按照所划分的阵列将所述硅锭进行切割;定义位于所述阵列四个顶角区域的硅块为第一类硅块,位于所述阵列四边区域的硅块为第二类硅块,其他硅块为第三类硅块;对所述第一类硅块、第二类硅块以及第三类硅块的设定表面进行少子寿命检测;其中,每一个第一类硅块均具有一个被检测的表面;任意相邻的两个第二类硅块中至多具有一个被检测表面;任意相邻两个第三类硅块中至多具有两个被检测表面;对同一个硅块,至多有一个被检测的表面;对任一硅块如其没有被检测的表面,其至少有一个相邻硅块具有被检测的表面。所述少子寿命检测方法工作效率高。
申请公布号 CN105785251A 申请公布日期 2016.07.20
申请号 CN201410810984.X 申请日期 2014.12.23
申请人 浙江昱辉阳光能源有限公司 发明人 汪万盾
分类号 G01R31/26(2014.01)I 主分类号 G01R31/26(2014.01)I
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人 王宝筠
主权项 一种硅块的少子寿命检测方法,其特征在于,包括:将硅锭的顶面划分为M×N个阵列排布的区域,在所述硅锭高度方向上,按照所划分的阵列将所述硅锭切割为M×N个硅块,M、N为正整数;定义位于所述阵列四个顶角区域的硅块为第一类硅块,位于所述阵列四边区域的硅块为第二类硅块,其他硅块为第三类硅块;对所述第一类硅块的设定表面进行少子寿命检测,对选定的第二类硅块的设定表面进行少子寿命检测,对选定的第三类硅块的设定表面进行少子寿命检测;其中,每一个第一类硅块均具有一个被检测的表面;任意相邻的两个第二类硅块中至多具有一个被检测表面;任意相邻两个第三类硅块中至多具有两个被检测表面;对同一个硅块,至多有一个被检测的表面;对任一硅块如其没有被检测的表面,则其至少有一个相邻硅块具有被检测的表面。
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